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IRF4104PBF  与  IPP015N04N G  区别

型号 IRF4104PBF IPP015N04N G
唯样编号 A-IRF4104PBF A-IPP015N04N G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@75A,10V 1.5mΩ@100A,10V
上升时间 - 10ns
栅极电压Vgs ±20V ±20V
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 120A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 13ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 250W
典型关闭延迟时间 - 64ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 40ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF4104PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 140W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 5.5mΩ@75A,10V N-Channel 40V 120A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
PSMN1R5-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R5-40PS_SOT78 N-Channel 338W 175℃ 3V 40V 150A

¥20.068 

阶梯数 价格
20: ¥20.068
50: ¥16.7234
0 对比
BUK758R3-40E,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK758R3-40E_SOT78 N-Channel 96W 175℃ 3V 40V 75A

¥20.6698 

阶梯数 价格
20: ¥20.6698
100: ¥13.9661
500: ¥10.911
1,000: ¥9.9191
0 对比
AUIRF4104 Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) 120A 5.5mΩ 140W 车规

暂无价格 0 对比
PSMN1R5-40PS,127 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN1R5-40PS_SOT78 N-Channel 338W 175℃ 3V 40V 150A

暂无价格 0 对比
IPP015N04N G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP015N04NGXKSA1_250W 1.5mΩ@100A,10V 40V 120A TO-220 N-Channel ±20V -55°C~175°C

暂无价格 0 对比

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